Dresden -- 30. August 2004 --
Heute unterzeichneten Georg Milbradt, Ministerpräsident von Sachsen, Edelgard
Buhlmann, Bundesministerin für Bildung und Forschung (BMBF), Hans-Jörg
Bullinger, Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft sowie Hector Ruiz, Vorstandsvorsitzender
von Advanced Micro Devices Inc. (AMD) und Wolfgang Ziebart, designierter Vorstandvorsitzender
der Infineon Technologies AG, ein "Memorandum of Understanding" im
Schloss Eckberg in Dresden. Damit legten sie die Basis für das neue Forschungszentrum
für Nanoelektronische Technologien (CNT) in Dresden. Die Nanoelektronik
ist eine Weiterentwicklung der Mikroelektronik, die mit noch kleineren Bauteilen
höhere Leistungen schafft.
Damit wird Dresden zu einem der wichtigsten Standorte der europäischen
Spitzenforschung auf dem Gebiet der Nanoelektronik. Bereits heute ist die Region
Dresden mit einem Netzwerk aus Industrie, Instituten und Hochschulen der größte
europäische Elektronikstandort. Hier werden hochkomplexe Chips produziert,
die international zur Weltspitze gehören. Dank kontinuierlicher Investitionen
und hoher Wertschöpfung entstanden den vergangenen Jahren über 20.000
Arbeitsplätze.
In dem "Memorandum of Understanding" vereinbarten die Partner Forschungsschwerpunkte,
Organisation und Finanzierung. Die Fraunhofer-Gesellschaft, Infineon und AMD
werden gemeinsam das Zentrum für Nanoelektronik als Fraunhofer-Einrichtung
aufbauen. Es nutzt Reinraumfläche sowie Infrastruktur im neuen Entwicklungszentrum
für Speicherprodukte bei Infineon in Dresden. Dort werden Anwender und
Entwickler auf dem Gebiet der Nanotechnologie forschen und Ergebnisse in der
Produktion testen. Schwerpunkt ist die 300 mm Siliziumwafer Technologie. Der
Freistaat Sachsen und das BMBF unterstützen die neue Fraunhofer-Einrichtung
mit Zuschüssen von insgesamt 80 Mio. Euro. Die Industriepartner planen
in den nächsten fünf Jahren Forschungsprojekte von rund 170 Mio. Euro.
"Das neue Zentrum stärkt unsere Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten
in Dresden und ermöglicht uns, noch enger mit hiesigen Universitäten,
Instituten und AMD zusammenzuarbeiten", sagte Wolfgang Ziebart für
Infineon. Erst im vergangenen Jahr hat Infineon mit dem Entwicklungszentrum
für Speicherprodukte seine Technologie-Entwicklung im Speicherbereich in
Dresden gebündelt.
"Mit unserer Beteiligung wollen wir AMDs erfolgreiches Engagement in Dresden
fortsetzen. Wir erwarten, dass unser neues 300 mm Werk AMD Fab 36 direkt von
der produktionsnahen Forschung und Entwicklung, die im CNT geplant ist, profitieren
wird", ergänzte Hector Ruiz, Vorstandsvorsitzender von AMD.
"Das Zentrum ist ein Modell für die Verzahnung von Forschung und
Fertigung", so Hans-Jörg Bullinger, Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft.
"Es steht weiteren Partnern offen, beispielsweise Material- oder Geräteherstellern.
Wesentlich für den Erfolg ist, dass alle Komponenten - Prozesse, Anlagen
und Materialien - gleichzeitig einsatzbereit sind. Damit passt es hervorragend
zu den bisherigen Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten der Fraunhofer-Institute
in der Mikroelektronik."
Bundesforschungsministerin Edelgard Bulmahn erklärte: "Mit der Gründung
des Fraunhoferzentrums setzt das BMBF bereits ein Jahr nach Gründung des
Maskenhauses einen weiteren wichtigen Schwerpunkt in der Nanoelektronik. Nirgendwo
werden Ergebnisse der Grundlagenforschung rascher in Produkte umgewandelt als
hier. Mit dem CNT wählen wir erstmals den Weg, gleich zum Start eine Partnerschaft
mit der Industrie zu vereinbaren. Das alles zeigt, wie attraktiv Deutschland
als Standort für Innovation ist".
Sachsens Ministerpräsident Georg Milbradt freute sich, dass Dresden zum
Magneten führender Mikro- und Nanoelektronikforscher weltweit wird. "Ich
bin sicher, dass sie bald mit innovativen Technologieprodukten von sich reden
machen. Ich werde mich dafür einsetzen, die besten Wissenschaftstalente
ins sächsische Elbflorenz zu holen. Ich hoffe, dass wir bald weitere Früchte
unserer langfristigen Politik ernten, die auf Hochtechnologie setzt, gute Kontakte
zu den Unternehmen pflegt und Investitionen unterstützt".
Wafer: Scheibe aus Halbleitermaterial, auf der eine Vielzahl identischer
Chips aufgebaut wird. Die bisher größten Wafer haben einen Durchmesser
von 300mm.
Silizium: Halbleitermaterial mit verhältnismäßig geringer
Eigenleitung, die durch Dotierung mit Fremdatomen gezielt heraufgesetzt werden
kann. Weitere günstige Eigenschaften machten das Material zum nahezu idealen
Werkstoff für die Herstellung elektronischer Bauelemente bis hin zu Speicherchips
und Mikroprozessoren.
Nanoelektronik: Die Wissenschaft und Technik zur Erforschung und Herstellung
von Materialstrukturen kleiner als 1 µm.