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AMD e IBM anuncian un gran avance en la tecnología de fabricación de semiconductores
— Se trata de un avance pionero en la industria que puede mejorar el rendimiento y ahorrar energía en los futuros procesadores de núcleo doble y múltiple —
SUNNYVALE, CA and EAST FISHKILL, NY -- El 13 de Diciembre de 2004 --AMD e IBM anunciaron hoy que han desarrollado una nueva y excepcional tecnología de transistores de silicio tensado con el objetivo de mejorar el rendimiento de los procesadores y el ahorro de energía. El innovador proceso da como resultado un aumento de la velocidad del transistor de hasta un 24 %, a los mismos niveles de energía, comparado con transistores similares fabricados sin esta tecnología.
Estos transistores más rápidos y que utilizan la energía de forma más eficaz son la base de unos procesadores de mayor rendimiento y menor consumo energético. Al disminuir el tamaño de los transistores éstos funcionan más rápido, pero también se corre el riesgo de que aumente el nivel de calor y el consumo de energía debido a fugas eléctricas o a una conmutación ineficaz. El silicio tensado desarrollado conjuntamente por AMD e IBM ayuda a superar estas dificultades. Además, este proceso convierte a AMD e IBM en las primeras empresas en introducir el silicio tensado que funciona con tecnología de silicio sobre aislante (SOI), lo que resulta en una mejora del rendimiento y un mayor ahorro de energía.
“Las tecnologías de procesos innovadoras, como el silicio tensado, permiten a AMD ofrecer más ventajas a sus clientes”, afirmó Dirk Meyer, vicepresidente ejecutivo del Grupo de Productos de AMD. “Nuestro progreso conjunto en el desarrollo de tecnologías de silicio avanzadas permite a AMD obtener la mejor tasa de rendimiento por vatio disponible en la actualidad, y se espera que el silicio tensado aumente este liderazgo una vez empecemos a producir el procesador de núcleo doble AMD Opteron™ a mediados de 2005”.
La intención de AMD es ir integrando paulatinamente la nueva tecnología de silicio tensado en todas sus plataformas de procesadores de 90nm, incluidos sus futuros procesadores de núcleo múltiple AMD64. AMD planea poner a la venta los primeros procesadores AMD64 90nm con esta tecnología durante la primera mitad de 2005.
IBM tiene previsto introducir esta tecnología en varias plataformas de procesadores de 90nm, entre ellas sus chips basados en arquitectura Power.
“La innovación ya ha sobrepasado a la escalabilidad como el principal impulsor de mejoras de rendimiento en la tecnología de semiconductores”, afirmó Lisa Su, vicepresidente de asociaciones y desarrollo de tecnologías de IBM Systems & Tecnhology Group. “Este logro conjunto con AMD demuestra que las empresas que están dispuestas a compartir su experiencia y sus capacidades pueden encontrar maneras nuevas de vencer los obstáculos y contribuir a llevar a la industria hasta la próxima generación de avances tecnológicos”.
El nuevo proceso de silicio tensado, llamado “Dual Stress Liner”, mejora el rendimiento de los dos tipos de transistores semiconductores, llamados transistores de canal N y canal P, al estirar los átomos de silicio de un transistor y comprimir los del otro. La técnica de tensión dual funciona sin necesidad de introducir nuevas técnicas, caras y complicadas, lo que permite su integración rápida en la fabricación extensiva utilizando herramientas y materiales estándar.
Los investigadores de AMD e IBM son los primeros de la industria en mejorar al mismo tiempo el rendimiento de los dos tipos de transistores en un semiconductor utilizando materiales convencionales.
“Este gran avance en el diseño de silicio tensado es el resultado de nuestra alianza de desarrollo conjunto y de los esfuerzos de nuestros equipos asociados de la sede de IBM en Nueva York y la de AMD en Alemania”, afirma Nick Kepler, vicepresidente de desarrollo de tecnologías de AMD. “Esta es una forma mejor de ofrecer las mejoras en el rendimiento y las reducciones en el consumo de energía que esperan los usuarios de los procesadores de 64 AMD Opteron™ y AMD Athlon™.
En la reunión IEEE (International Electron Devices Meeting) de San Francisco, California, entre el 13 y el 15 de diciembre de 2004, se desvelarán más detalles sobre la innovadora tecnología Dual Stress Liner de AMD e IBM. La tecnología de Dual Stress Liner con SOI ha sido desarrollada por ingenieros de IBM, AMD, Sony y Toshiba en el Centro de Investigación y Desarrollo de IBM en East Fishkill, Nueva York, y por ingenieros de AMD en su centro Fab 30 de Dresden, Alemania.
IBM y AMD colaboran en el desarrollo de tecnologías de fabricación de semiconductores de próxima generación desde enero de 2003.
Acerca de AMD
AMD (NYSE: AMD) diseña y fabrica microprocesadores innovadores, dispositivos de memoria Flash y soluciones de procesadores de baja potencia para el sector informático, de las comunicaciones y de la electrónica de consumo. AMD se dedica a ofrecer soluciones basadas en estándares y enfocadas al consumidor en el segmento de los usuarios de tecnologías, que pueden ser desde empresas y organismos gubernamentales hasta clientes particulares. Si desea más información, no dude en visitar nuestra página web: www.amd.com.
Acerca de IBM
IBM es una reconocida empresa innovadora en la industria de los semiconductores, y ha sido pionera en adelantos como el cableado de cobre, de mejor rendimiento energético que el aluminio, o unos transistores más rápidos SOI y de silicio germanium. Estas y otras innovaciones han contribuido a hacer de IBM la empresa con mayor número de patentes en los EE.UU. durante once años consecutivos. Puede obtener más información sobre IBM en: http://www.ibm.com/chips.
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AMD, el logotipo de AMD Arrow, AMD Opteron y combinaciones de los mismos, son marcas registradas de Advanced Micro Devices, Inc. Los demás nombres de productos y empresas se incluyen a título informativo y pueden ser marcas registradas de sus respectivas empresas propietarias. |
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