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AMDとIBM、画期的な半導体製造技術を発表
—将来のシングルコア・プロセッサやマルチコア・プロセッサの性能向上と省電力を実現する
業界初の成果
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-- 2004年12月15日 --このプレス・リリースは、米国カリフォルニア州サニーベールおよび
ニューヨーク州イースト・フィッシュキル12月13日発英文リリースの抄訳です。
AMD（本社：米カリフォルニア州サニーベール、会長兼CEO:ヘクター・ルイズ）とIBMは本日、プロセッサの性能と電力効率を向上させる、独自の歪みシリコントランジスタ技術を開発した、と発表しました。この画期的なプロセスを活用すると、従来技術で作られた同等消費電力のトランジスタと比較して、トランジスタ速度が最大24％も向上します。
高性能、低消費電力のプロセッサは、高速で電力効率の高いトランジスタで構成されます。トランジスタは小型化するほど高速での動作が可能となりますが、同時に、漏れ電流や非効率なスイッチングによって消費電力が高くなり、発熱も増えます。このような問題を解決するのが、AMDとIBMが共同開発した歪みシリコンです。今回の新しいプロセス技術によって、両社は、歪みシリコンをSOI（シリコン・オン・インシュレータ）技術と組み合わせることにも初めて成功し、今後、今まで以上の高性能と低消費電力を実現することが可能になりました。
AMDのDirk Meyer（ダーク・マイヤー、コンピュテーション製品グループ担当上級副社長）は、次のように述べています。「歪みシリコンのような革新的プロセス技術のおかげで、AMDはお客様に、より大きな価値をお届けできるようになります。先進のシリコン技術を共同開発したことで、AMDは、現時点で最高のワット当たり性能を提供可能となります。また、この新しい歪みシリコン技術の開発によって、2005年中旬にデュアルコアAMD Opteron™プロセッサを出荷した暁には、業界におけるリーダーシップをさらに強化できるものと期待されます」
AMDでは今後、マルチコアのAMD64プロセッサをはじめ、90nmプロセッサ・プラットフォームのすべてに、新しい歪みシリコン技術を順次搭載していく考えです。同技術を採用した最初の90nm AMD64プロセッサは、2005年上半期に出荷される予定です。
IBMは、自社のPowerアーキテクチャ・ベースのチップなど、様々な90nmプロセッサ・プラットフォームに本技術を搭載する計画です。第一弾製品は、2005年上半期に登場する予定です。
IBMのLisa Su氏（IBMシステム＆テクノロジグループの技術開発・アライアンス担当副社長）は、次のように述べています。「半導体の性能向上をもたらす原動力は、スケーリングからイノベーションに移行しました。今回のAMDとの共同開発では、ノウハウや技術を共有する意志があれば、複数の企業が協力し、障害を乗り超える方策が見つけられること、そしてその結果、次世代技術による進展を業界にもたらせることが示されたと言えるでしょう」
新しい歪みシリコン・プロセスは「デュアル・ストレス・ライナー」と呼ばれるもので、シリコン原子を一方で引き伸ばし、もう一方では押し縮めることにより、半導体トランジスタの性能をn型についてもp型についても高めることができる技術です。デュアル・ストレス・ライナーは、困難で高コストな新しい製造技術を導入する必要がなく、標準的なツールや材料を活用して短期間で大量生産に乗せることが可能です。
既存材料を使ってn型、p型、両方の半導体トランジスタの性能を同時に高めることに成功したのは、AMDとIBMの研究チームが業界初となります。
AMDのNick Kepler（ニック・ケプラー、ロジック技術開発担当副社長）は、次のように述べています。「今回達成した歪みシリコン技術の実用化は、ニューヨークのIBM研究施設とドイツのAMD研究施設が一致協力して開発にあたった結果もたらされました。AMD OpteronとAMD Athlon™ 64プロセッサについて、お客様が望む性能向上と消費電力削減を実現する方法としては、このような手法がより優れています」
AMDとIBMが共同開発したデュアル・ストレス・ライナー・テクノロジの詳細は、2004年12月13日から15日にカリフォルニア州サンフランシスコで開かれる2004 IEEE International Electron Devices Meetingで発表されます。デュアル・ストレス・ライナーとSOIの組み合わせは、IBM、AMD、ソニー、東芝のエンジニア・チーム（ニューヨーク州イーストフィッシュキルのIBM半導体研究開発センター（SRDC））と、AMDのエンジニア達（ドイツ ドレスデン市のAMD Fab 30）が、協力して開発しました。
IBMとAMDは、2003年1月から、次世代半導体製造技術の共同開発を推進しています。
注意事項：「事情変更に基く免責」（Safe Harbor：セーフハーバー）条項の告知：
この報道発表は今後の見通しに関する記載事項を含んでいます。この記載事項は「1995年証券訴訟に関する改善法」の中の「事情変更に基く免責」（Safe Harbor：セーフハーバー）条項に準拠したものです。投資家の皆様には、この報道発表に含まれている今後の見通しに関する記載事項にはリスクと不確定性が含まれており、実際の結果は現時点でのこの見通しとは大幅に異なったものになる可能性があることを、警告させていただきます。
リスクには次のような可能性が含まれます： AMDが現在計画している製品ならびに技術の投入を達成できないリスク。マルチコア・プロセッサなどのAMDの将来的な製品が設計仕様通りに動作しないリスク。AMDは、米国証券取引委員会に提出した報告書に、リスクと不確定性について詳細に記載しています。AMDは投資家の皆様に、こうした報告書を詳細に検討することを強くお薦めします。なおここでいう報告書には、最新の10-K年次報告書（2003年12月28日終了の年度に関する報告書）および10-Q四半期報告書（2004年9月26日終了の四半期に関する報告書）を含みますが、それに限定したものではありません。
AMDについて：
AMD（NYSE:AMD）は、コンピュータ業界、通信業界、家電業界向けのマイクロプロセッサ、フラッシュメモリ、低消費電力プロセッサ・ソリューションを設計・製造しています。AMDは、同社のお客様が、多岐にわたるテクノロジ・ユーザ（大企業、政府機関、個人消費者など）に対して標準ベースかつお客様志向のソリューションを提供できるよう、その支援に尽力しています。詳細については、www.amd.comをご覧ください。
IBMについて：
IBMは、半導体業界屈指の開発力を持つ企業で、アルミニウムのかわりに電力効率の高い銅線を使った配線や、高速なSOIトランジスタおよびシリコンゲルマニウム・トランジスタなどを、世界に先駆けて開発した実績を持ちます。このように数多くのイノベーションを誇るIBMは、特許所有件数でも11年連続して米国トップの座を守り続けています。IBMの半導体については、http://www.ibm.com/chipsをご覧ください。
AMD、AMD Arrowロゴ、AMD Athlon、AMD Opteron、およびその組み合わせはAdvanced Micro Devices, Inc.の商標です。その他すべての名称は、情報提供の目的においてのみ記載されているもので、名称を所有する企業・団体などの商標である場合があります。
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