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AMDとIBM 45nmチップへの液浸技術と超low-k材料の適用に関する研究成果の詳細を発表

- 先進技術によって性能と効率性を高めると同時にマイクロプロセッサの設計・製造に伴う複雑性を低減 -

-- 2006年12月12日 --このプレスリリースは、米国サンフランシスコ12月12日発英文リリースの抄訳です。

IBM (NYSE: IBM)とAMD(本社:米カリフォルニア州サニーベール、会長兼CEO:ヘクター・ルイズ)は2006年12月12日、「International Electron Devices Meeting(IEDM)国際電子デバイス会議」において、液浸リソグラフィと超低誘電体層間絶縁膜(超low-k)による配線技術、および、マルチプル・エンハンスト歪みトランジスタ技術を、45ナノメータ(nm)マイクロプロセッサのプロセスに適用する方法に関する論文を発表しました。AMDとIBMでは、2008年中旬頃に液浸リソグラフィと超low-kを用いた45nmプロセス製品を製品化できると予想しています。

AMDのNick Kepler(ニック・ケプラー、ロジック技術開発担当副社長)は、次のように述べています。「AMDとIBMは、液浸リソグラフィと超low-kを45nm技術に初めて適用すると発表したマイクロプロセッサ・メーカであり、今後も先頭に立って、マイクロプロセッサ・プロセス技術のイノベーションを牽引していきます。液浸リソグラフィの採用は、従来以上に高度なマイクロプロセッサの設計を行うとともに製造のばらつきを抑えて、業界をリードする高度な製品をお客様に提供するという当社の能力をさらに高めてくれるものとなります。超low-kも、すでに業界をリードするレベルにあるAMDマイクロプロセッサの持つワット性能をさらに高めるもので、すべてのお客様にメリットを提供できるものです。今回の発表により、IBMとAMDが共同で進めている研究開発が成功を収めていることの証拠が、またひとつ増えたことになります。」

現在のプロセス技術は従来型のリソグラフィによるもので、65nm以下のプロセスではマイクロプロセッサの設計に大きな制限が生じてしまいます。液浸リソグラフィでは、ステップ・アンド・リピート型リソグラフィ・システムの投影レンズと数百ものマイクロプロセッサを形成するウェハとの隙間を透明な液体で満たします。これはリソグラフィ技術の大きな進歩であり、焦点深度が深くなるとともに、画像の再現性が高くなり、チップ・レベルの性能と製造効率の向上が見込めます。この液浸技術は、45nmマイクロプロセッサに対応可能なプロダクション・クラスの液浸リソグラフィ・プロセスを開発できない競合他社に対し、製造面におけるAMDとIBMの優位をもらたらします。例えば、液浸技術を用いると、高コストの二重露光技術を使うことなく性能が約15%優れたSRAMセルを製造することができます。

さらに、多孔質の超low-kを採用すると、マイクロプロセッサの性能を高めるとともに消費電力を削減するために重要なステップである層間絶縁膜のキャパシタンスの引き下げと配線による遅延の低減が可能になります。これが可能になったのは、業界をリードする超low-kプロセスにより、機械的強度を保ちつつ層間絶縁膜の誘電率を引き下げることに成功したからです。超low-kを採用すると、従来のlow-kに比べ、配線に関連する遅延が15%削減されます。

IBMの半導体研究開発センターのGary Patton氏(テクノロジー開発担当バイス・プレジデント)は、次のように述べています。「液浸リソグラフィと超low-kを45nmプロセスへの適用は、私どものAlbany Nanotech Centerにおける画期的な研究成果をニューヨーク州イースト・フィッシュキルにあるIBMの最先端300mm製造開発施設および独ドレスデンにあるAMDの最先端300mm製造施設へ適用するという技術移転を成功させることだといえます。優れたコラボレーティブ・イノベーション・モデルを発揮することにより、AMDおよびIBMパートナ各社とのトップクラスの技術統合に成功しました。」

AMDとIBMの歪みトランジスタ技術がさらに一歩前進したということは、45nmプロセス技術への移行に関してジオメトリ面から業界全体が直面しているスケーリングの問題を解決し、トランジスタ性能をさらに高めることが可能になったことを意味します。45nmプロセスではトランジスタの形成密度が従来以上に高まるわけですが、IBMとAMDの歪みトランジスタは、従来のトランジスタと比較して、pチャンネル・トランジスタで80%、nチャンネル・トランジスタで24%、駆動電流を高めることができます。この結果、45nmプロセス技術によるCMOS半導体として、報告されている限りで最高の性能を得ることに成功しました。

IBMとAMDでは、2003年1月より次世代型半導体製造技術の開発に関する協業を行っています。2005年11月には、32nmプロセスと22nmプロセスの開発を対象に、この共同開発体制を2011年まで延長することを両社は発表しました。

AMDについて:
AMD(NYSE:AMD)は、コンピュータ業界、グラフィックス、家電業界向けに革新的なマイクロプロセッサ・ソリューションを提供するグローバル・プロバイダです。AMDは、世界中のコンシューマおよびビジネス分野のお客様を支援する、徹底したお客様中心主義の理念に基づくソリューションを提供します。それにより、オープンな技術革新の促進、選択肢の拡大、さらに業界の発展に向けて努力します。日本AMD株式会社は、AMDの日本法人です。詳細については、www.amd.com (英語)または http://www.amd.co.jp(日本語)をご覧ください。

IBM について:
IBMの半導体は、世界最大のIT企業としてのIBMにおいて大きな役割を果たしています。IBMのチップ製品とソリューションは、IBMのサーバー製品、およびストレージ製品に加えて、世界中でよく知られた多数のエレクトロニクス・ブランドで活用されています。IBMの半導体イノベーションには、デュアルコア・マイクロプロセッサー、銅配線、シリコン・オン・インシュレーターおよびシリコン・ゲルマニウム・トランジスター、ストレインド・シリコン、さらにコンピューター・チップが環境の変化に自動対応できるようにする技術であるeFUSEなどがあります。詳細についてはhttp://www.ibm.com/chipsをご覧ください。


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