AMD (本社：カリフォルニア州サニーベール、会長兼CEO：W. J. サンダース) は本日、半導体業界でこれまで報告されてきた中では最高速のスイッチング速度を持つCMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを開発した、と発表しました。このデバイスは、AMDが将来世代のマイクロプロセッサに使用を計画しているトランジスタのプロトタイプ（試作品）で、ゲート長は15ナノメータ（0.015ミクロン）です。

AMDによる今回の画期的な技術革新は、21世紀の最初の10年間で、半導体チップ当たりのトランジスタ数を20倍に、またマイクロプロセッサの性能を10倍に向上させられることを示しています。AMDは、12月4日からワシントンD.C.で開催される2001年国際電子デバイス会議（IEDM）で、この研究成果に関する論文を発表する予定です。IEDMは、半導体技術の研究開発に関する業界最先端の会議のひとつです。

このゲート長15ナノメータのデバイスは、AMDが2009年前後に量産化を計画している30ナノメータ･プロセス世代の開発の鍵を握る、重要なプロトタイプです。 AMDの技術ロードマップによれば、30ナノメータ（0.03ミクロン）プロセス技術では、300mmウェハを使用する予定です。

AMDのCraig Sander（クレイグ・サンダー、技術開発グループ担当副社長）博士は、次のように述べています。「当社の研究はトランジスタ設計の最先端を走っており、そのため、よりパワフルなプロセッサを開発していくことが可能になります。トランジスタ技術は、高性能マイクロプロセッサの原動力となる"エンジン"にたとえることができます。これこそが、継続して大規模な研究開発費を投じ、トランジスタ技術で常に世界トップクラスを維持するようにAMDが努める理由です」

このゲート長15ナノメータのトランジスタは、AMDのサブミクロン・プロセス研究開発センタで製作されたCMOSベース、電圧0.8ボルトのデバイスで、0.3psのスイッチング速度（毎秒3.33兆スイッチ）を持つように設計されました。ゲート長15ナノメータのトランジスタが開発された事実は、今後何年にもわたってトランジスタの微細化が衰えることなく続くことを、強く示唆しています。

AMDのSander博士はさらに次のように語っています。「AMDのトランジスタ開発努力全体から見ても、このトランジスタの開発は重要度の高い部分です。今回の先行的な研究の成果は、長期的なロードマップと戦略に対する自信を深めさせてくれると同時に、AMDの短期的開発プログラムに役立つ副産物的な技術も提供します。私どもは、これらの能力を示すデータを半導体業界で初めて公開できる企業となったことに、誇りを感じています」

AMDについて：
AMD（創立1969年）は、全世界のパーソナルコンピュータ、ネットワークコンピュータ、通信機器のメーカに対しIC（半導体）製品を提供しています。製造拠点を米国、ヨーロッパ、日本、アジアに構え、マイクロプロセッサ、フラッシュメモリ、通信・ネットワークアプリケーション向けIC製品を生産しています。AMDは、Fortune 500およびStandard & Poor's 500企業にリストアップされています。本社はカリフォルニア州サニーベール、2000年度の売上げは46億ドルです。（NYSE:AMD）