 |
|
|
|
|
AMD、新しいトランジスタおよびメモリ・セル構造の研究成果を発表
－IEDM 2002で発表される研究成果、将来に向けた
より価値のあるソリューション実現への基盤となる－
Tokyo, JAPAN -- 2002年12月11日 --このプレス・リリースは12月9日、米国サニーベール発、英文リリースの抄訳です。
AMD（NYSE：AMD、本社：米カリフォルニア州サニーベール、社長兼CEO：ヘクター・ルイズ）は本日、半導体研究開発(R&D)におけるAMDのリーダーシップを実証するため、12月8日から11日までサンフランシスコで開催される国際電子デバイス会議(IEDM)において、次世代トランジスタおよびメモリ・セルの製造で重要となる複数の技術研究成果について発表を行うことを明らかにしました。この研究成果は、早ければ2005年に量産製品へ応用される可能性があります。
AMDのCraig Sander（クレイグ・サンダー、AMDのプロセス技術開発担当副社長）は次のように述べています。「AMDの研究室で進められている次世代トランジスタおよびメモリ技術開発が、将来お客様へ提供する製品の性能、融合性、および使いやすさを、かつてないレベルへと飛躍させます」
次世代のトランジスタ：
AMDはIEDMにおいて、現在進めている次世代トランジスタの研究成果について、3件の専門論文を発表する予定です。トランジスタとは今日のマイクロチップを構成する主要部分であり、微小な切り替えスイッチである「ゲート」を使用することで断続的な電流の流れを作り出します。
AMDは、カリフォルニア大学バークレー校と共同で研究を進めており、今日の高機能ロジック・チップの業界標準であるプレーナ型トランジスタに取って代わる、新しいトランジスタ研究についての詳細を明らかにする予定です。
マイクロチップの業界において「Fin Field Effect Transistor(FinFET)」として知られる、この新しい構造は、垂直なシリコンの「フィン」を使用し、2つのゲートを構築します。これはトランジスタを通過可能な実効電流を2倍とし、トランジスタのスイッチ特性を改善する効果があります。これは半導体業界で使用されている標準技術を使用した高効率で実用性の高い技術であり、高い製造効率を維持しながら、性能の向上およびジオメトリの微細化を実現するものです。
AMDは本年9月に、現在製造されている最先端のトランジスタと比較して、5分の1以下のサイズとなるゲート長10nm（または100億分の1メートル）で動作するFinFETを実証した最初の企業となりました。
クレイグ・サンダーは、さらに次のように述べています。「私どもが目標としているトランジスタ性能を実現するためには、2010年の終わりまでにゲート長が15nm以下になる必要があると考えています。R&D部門にとって、これはとてもエキサイティングな挑戦です。私どものFinFETに代表される多重ゲート・トランジスタ構造は、既存の製造方法が持つ多くの利点を生かしながら、次世代の性能目標に到達するための、技術上の鍵となるはずです」
AMDはさらに、現在一般的に使用されているポリシリコンに代わり、メタルゲートを採用したトランジスタ製造の成功に関する2件の論文の発表を行う予定です。この研究は、2005年あるいはそれ以降のAMDのファブリケーション・プロセスにおいて、トランジスタ性能を最大限にすることが期待されています。
このニッケルをベースとしたゲート技術は、トランジスタを通過する電流のフローを改善することで、トランジスタ性能を劇的に向上させる可能性があります。適切に導入されれば、金属ゲートの特性を切り替える最適なスイッチ特性を達成するために、現在トランジスタ・ゲートの下のチャンネルに置かれる不純物が除去されます。これらの不純物の除去により、より効率の良い電流を実現し、結果としてトランジスタ性能の向上をもたらします。さらに業界の調査によれば、ニッケル・ベースのゲート技術は、その他の金属素材を用いたゲート技術と比較して、生産コストを低減することができると期待されています。
将来のフラッシュメモリについて：
AMDは、さらにスタンフォード大学と共同で、65nm世代以降のフラッシュメモリ・セル構造についての実験論文を発表する予定です。新構造は、電荷を保持するために幅5nm以下のポリシリコンで作られた微細な「ナノワイヤ」を使用します。このような微細な次元では、メモリ・セルは量子力学的な特性を示し、優れたデータ保持特性を示しながら、従来のフラッシュメモリ・セルよりも数段高速なイレース処理を実現します。この技術によってフラッシュメモリの大容量化、セルへのリード／ライトに必要とされる消費電力の低減、ならびに大幅な高速化の実現が期待されます。
IEDMについて：
AMDは2002年12月8日から11日まで、サンフランシスコ・ヒルトン・ホテル＆タワーで開催される国際電子デバイス会議（IEDM）2002において、これらの研究成果等を発表する予定です。
AMDについて：
AMD（創立1969年）は、全世界のパーソナルコンピュータ、ネットワークコンピュータ、通信機器のメーカに対しIC（半導体）製品を提供しています。製造拠点を米国、ヨーロッパ、日本、アジアに構え、マイクロプロセッサ、フラッシュメモリ、通信・ネットワークアプリケーション向けIC製品を生産しています。AMDは、Fortune 500およびStandard & Poor’s 500企業にリストアップされています。本社はカリフォルニア州サニーベール、2001年度の売上げは39億ドルです。（NYSE:AMD）
AMD、AMD Arrowロゴ、AMD Athlon、3DNow!およびそれらの組み合わせはAdvanced Micro Devices,Inc.の商標です。その他すべての企業名、ブランド名、および製品名は、一般に各企業の登録商標または商標です。
|
|
|
|
|
