AMD e IBM anuncian un avance tecnológico revolucionario para la fabricación de semiconductores
— Esta innovación tiene como objetivo mejorar el desempeño y economizar energía en los futuros procesadores de uno o varios núcleos—
SUNNYVALE, CA y EAST FISHKILL, NY -- El 13 de diciembre de 2004 --AMD e IBM anunciaron hoy una nueva tecnología de transistores de silicio rígido para mejorar el desempeño y la economía de los procesadores. Este revolucionario proceso incrementa la velocidad del transistor en un 24 por ciento, con los mismos niveles de energía, en comparación con transistores equivalentes fabricados sin esta tecnología.
Los transistores más veloces y económicos son la base de procesadores de mayor rendimiento y más ahorradores. A medida que los transistores se vuelven más pequeños, operan con mayor rapidez, pero corren el riesgo de necesitar más energía y calor debido al escape del flujo eléctrico o a una conmutación ineficiente. El silicio rígido, desarrollado conjuntamente por AMD e IBM, ayuda a superar estos problemas. Además, este proceso convierte a AMD e IBM en las primeras compañías en lanzar el silicio rígido que funciona con la tecnología de silicio sobre aislador (SOI; por sus siglas en inglés), lo cual resulta en un rendimiento adicional y un ahorro de energía.
“Las innovadoras tecnologías de procesamiento, tales como el silicio rígido, permiten a AMD brindar mayor valor a nuestros clientes”, dijo Dirk Meyer, Vicepresidente Ejecutivo del Grupo de Productos de Cómputo de AMD. “Nuestro progreso común en el desarrollo de nuevas tecnologías de silicio permiten a AMD brindar el mejor rendimiento por vatio, y se espera que el silicio rígido expanda esta ventaja cuando a mediados de 2005 empecemos a enviar el procesador de doble núcleo AMD Opteron™”.
AMD planea integrar gradualmente la nueva tecnología del silicio rígido en todas sus plataformas de procesadores de 90nm, incluyendo sus futuros procesadores AMD64 multinúcleos. AMD planea lanzar los primeros procesadores AMD64 de 90nm con esta tecnología en el primer semestre de 2005.
Por su parte, IBM proyecta lanzar la tecnología en plataformas de múltiples procesadores de 90nm, incluyendo sus chips de Arquitectura de Energía, con sus primeros productos para estar disponibles en el primer semestre de 2005.
“La innovación ha superado a la expansión como el principal impulsor de los progresos en tecnología de semiconductores”, dijo Lisa Su, Vicepresidente de Alianzas y Desarrollo de Tecnología del Grupo de Sistemas y Tecnología de IBM. “Este logro junto con AMD demuestra que las empresas que están dispuestas a compartir sus conocimientos y habilidades pueden encontrar nuevas maneras de superar obstáculos, y a conducir a la industria a los avances tecnológicos de la próxima generación”.
El nuevo proceso de silicio rígido, llamado “Revestimiento de Doble Tensión”, mejora el desempeño de ambas clases de transistores de semiconductor, llamados transistores de canal n y canal p, al estirar los átomos de silicio en un solo transistor y comprimirlos en el otro. La técnica de revestimiento de doble tensión funciona sin tener que introducir nuevas y costosas técnicas de producción, lo cual permite su rápida integración a la fabricación de volumen por medio de herramientas y materiales ordinarios.
Los investigadores de AMD e IBM son los primeros en la industria en mejorar el desempeño de ambos tipos de transistores en semiconductores con materiales convencionales.
“Este avance en la ingeniería del silicio rígido es el resultado de nuestra alianza de desarrollo en conjunto y del trabajo de nuestros equipos en las instalaciones de IBM en Nueva York y de AMD en Alemania”, dijo Nick Kepler, Vicepresidente de Desarrollo de Tecnología Lógica de AMD. “Es la mejor forma de mejorar el desempeño y el ahorro de energía que esperan los consumidores de procesadores AMD Opteron™ y AMD Athlon™ 64”.
Los detalles de la innovación de Revestimiento de Doble Tensión de AMD-IBM serán discutidos en el Encuentro Internacional de Dispositivos Electrónicos de la IEEE (2004 IEEE International Electron Devices Meeting) en San Francisco, California, del 13 al 15 de diciembre de 2004. El Revestimiento de Doble Tensión con tecnología SOI fue desarrollado por ingenieros de IBM, AMD, Sony y Toshiba en el Centro de Investigación y Desarrollo de Semiconductores de IBM (SRDC) en East Fishkill, NY, así como por ingenieros de AMD en su planta de Fab 30 en Dresde, Alemania.
Desde enero de 2003 IBM y AMD han estado colaborando en el desarrollo de tecnologías de fabricación de semiconductores de próxima generación.
Acerca de AMD
AMD (NYSE:AMD) diseña y produce innovadoras soluciones de microprocesadores, dispositivos de memoria Flash y procesadores de bajo consumo de energía para las industrias de computación, comunicaciones y electrónica de consumo. AMD está comprometida en entregar soluciones basadas en los estándares de la industria y enfocadas en los clientes para los usuarios de tecnología, que abarcan desde grandes empresas y gobiernos a consumidores individuales. Para mayor información por favor visite www.amd.com.
Acerca de IBM
IBM es un reconocido innovador en la industria de semiconductores, al haber sido el primero en emplear alambres de cobre más económicos en lugar de aluminio y transistores de SOI y germanio de silicio más veloces. Éstas y otras innovaciones han contribuido a la posición de IBM como el mayor propietario de patentes por once años consecutivos. Para mayor información acerca de semiconductores IBM visite http://www.ibm.com/chips.
Declaración precautoria
Este boletín contiene declaraciones a futuro, de conformidad con las cláusulas de protección de la Reforma a la Ley de Litigio de Valores de 1995. Se advierte a los inversionistas que esta declaración entraña riesgos e incertidumbres que ocasionaría que dichos resultados difieran materialmente de las expectativas, incluyendo la posibilidad de que AMD no cumpla sus planes de lanzamiento de productos y tecnología, y que sus procesadores multinúcleo no rindan conforme sus especificaciones de diseño. Invitamos a los inversionistas a revisar minuciosamente los riesgos e incertidumbres en los informes de AMD ante la Comisión del Mercado de Valores de Estados Unidos, incluyendo el Informe Anual en la Formato 10-K del año que concluyó el 28 de diciembre de 2003, y el Informe Trimestral en la Forma 10-Q para el trimestre que concluyó el 26 de septiembre de 2004.
AMD, el logotipo en forma de flecha de AMD, AMD Athlon, AMD Opteron, y combinaciones de lo anterior, son marcas registradas de Advanced Micro Devices Inc. Los demás nombres que aparecen aquí, se mencionan con fines informativos exclusivamente y pueden ser marcas registradas de sus respectivas compañías.
|
|
