Приведённая ниже таблица объясняет различия между сериями и номерами моделей процессоров AMD Opteron™.
| Серия |
Серия 1000 |
Серия 2000 |
Серия 8000 |
| Масштабируемость |
1 процессор |
До 2 процессоров |
До 8 процессоров |
| Процессорный разъем |
Сокет AM2 |
Сокет F (1207) |
Сокет F (1207) |
| Производительность |
|
|
Серия 8000 Результаты тестов |
| Модели с обычным энергопотреблением |
|
| Максимальное энергопотребление процессора |
103 Вт |
95 Вт |
95 Вт |
| Тактовая частота |
Номера моделей |
| 1,8 ГГц |
Модель 1210 |
Модель 2210 |
- |
| 2,0 ГГц |
Модель 1212 |
Модель 2212 |
Модель 8212 |
| 2,2 ГГц |
Модель 1214 |
Модель 2214 |
Модель 8214 |
| 2,4 ГГц |
Модель 1216 |
Модель 2216 |
Модель 8216 |
| 2,6 ГГц |
Модель 1218 |
Модель 2218 |
Модель 8218 |
| 2,8 ГГц |
Модель 1220 |
Модель 2220 |
Модель 8220 |
| Модели с низким энергопотреблением (HE) |
|
| Максимальное энергопотребление процессора |
68 Вт |
68 Вт |
68 Вт |
Тактовая частота |
Номера моделей |
1,8 ГГц |
Модель 1210 HE |
Модель 2210 HE |
- |
2,0 ГГц |
Модель 1212 HE |
Модель 2212 HE |
Модель 8212 HE |
| 2,2 ГГц |
Модель 1214 HE |
Модель 2214 HE |
Модель 8214 HE |
| 2,4 ГГц |
Модель 1216 HE |
Модель 2216 HE |
Модель 8216 HE |
| 2,6 ГГц |
Модель 1218 HE |
Модель 2218 HE |
Модель 8218 HE |
| Модели с повышенной производительностью (SE) |
|
| Максимальное энергопотребление процессора |
125 Вт |
120 Вт |
120 Вт |
| Тактовая частота |
Номера моделей |
| 2,8 ГГц |
Модель 1220 SE |
Модель 2220 SE |
Модель 8220 SE |
| Технология виртуализации AMD Virtualization™ (AMD-V™) |
Да |
Да |
Да |
| Тегированные буферы быстрого преобразования адреса (Tagged TLB) |
Да |
Да |
Да |
| Контроллер памяти с поддержкой виртуализации |
Да |
Да |
Да |
| Технология энергосбережения AMD PowerNow!™ с оптимизированным управлением энергопотреблением (OPM) |
Да |
Да |
Да |
| Число ступеней энергосбережения |
до 5 |
до 5 |
до 5 |
| Архитектура Direct Connect |
Да |
Да |
Да |
| Интегрированный контроллер памяти DDR2 |
Да |
Да |
Да |
| Поддерживаемые типы памяти DDR2 |
Небуферизированная |
Регистровая |
Регистровая |
| Разрядность контроллера памяти DDR2 |
128 разрядов |
128 разрядов |
128 разрядов |
| Максимальная частота памяти DDR2 |
DDR2-800 |
DDR2-667 |
DDR2-667 |
| Максимальное количество DIMM-модулей памяти DDR2 на процессор |
4 @ DDR2-667 |
8 @ DDR2-533 |
8 @ DDR2-533 |
| Поддержка онлайнового резервирования памяти (технологии RAS) |
Да |
Да |
Да |
| Защита памяти ECC DRAM |
Да |
Да |
Да |
| Защита памяти DDR2 по четности адреса |
Да |
Да |
Да |
| Технология HyperTransport™ |
Да |
Да |
Да |
| Число каналов HyperTransport (всего/когерентных) |
1/0 |
3/1 |
3/3 |
| Разрядность канала HyperTransport |
16 разрядов x 16 разрядов |
16 разрядов x 16 разрядов |
16 разрядов x 16 разрядов |
| Частота шины HyperTransport |
1 ГГц |
1 ГГц |
1 ГГц |
| Архитектура AMD64 |
Да |
Да |
Да |
| Одновременная поддержка 32- и 64-разрядных вычислений |
Да |
Да |
Да |
| Размер кэш-памяти первого уровня (L1) (данные/инструкции) |
64 КБ/64 КБ |
64 КБ/64 КБ |
64 КБ/64 КБ |
| Размер кэш-памяти второго уровня (L2) |
1 МБ |
1 МБ |
1 МБ |
| Количество ступеней конвейера (целочисленных вычислений блок/блок вычислений с плавающей точкой) |
12/17 |
12/17 |
12/17 |
| Технология защиты данных в кэш-памяти первого и второго уровней |
ECC |
ECC |
ECC |
| Технология защиты инструкций в кэш-памяти первого и второго уровней |
Контроль по чётности |
Контроль по чётности |
Контроль по чётности |
| Число записей буфера истории предсказаний |
16K |
16K |
16K |
| Число записей буфера быстрого преобразования адреса (TLB) в кэш-памяти первого уровня (данные/инструкции) |
40/40 |
40/40 |
40/40 |
| Ассоциативность буфера быстрого преобразования адреса (TLB) в кэш-памяти первого уровня (данные/инструкции) |
Полная/полная |
Полная/полная |
Полная/полная |
| Число записей буфера быстрого преобразования адреса (TLB) в кэш-памяти второго уровня (данные/инструкции) |
512/512 |
512/512 |
512/512 |
| Ассоциативность кэш-памяти второго уровня (данные/инструкции) |
4/4 |
4/4 |
4/4 |
| Поддержка наборов SIMD-инструкций |
SSE, SSE2, SSE3 |
SSE, SSE2, SSE3 |
SSE, SSE2, SSE3 |
| Технологический процесс |
90 нм, "кремний на изоляторе" (SOI) |
90 нм, "кремний на изоляторе" (SOI) |
90 нм, "кремний на изоляторе" (SOI) |
| Место производства |
Fab 30, Дрезден, Германия |
Fab 30, Дрезден, Германия |
Fab 30, Дрезден, Германия |