Сравнение номеров моделей и характеристик процессоров AMD Phenom™ 

Четырехъядерный процессор
AMD Phenom™ X4

Номер модели

Частота

Общий объем кэша второго уровня

Кэш третьего уровня

Корпус

Тепло-выделение

Технология CMOS

9950*

2.6ГГц

2МБ

2МБ

гнездо AM2+

125Вт

65нм SOI

9850*

2.5 ГГц

2МБ

2МБ

гнездо AM2+

125Вт

65нм SOI

9750

2.4 ГГц

2МБ

2МБ

гнездо AM2+

95Вт

65нм SOI

9650

2.3 ГГц

2МБ

2МБ

гнездо AM2+

95Вт

65нм SOI

9350e

2.0 ГГц

2МБ

2МБ

гнездо AM2+

65Вт

65нм SOI

9150e

1.8 ГГц

2МБ

2МБ

гнездо AM2+

65Вт

65нм SOI

Трехъядерный процессор
AMD Phenom™ X3

Номер модели

Частота

Общий объем кэша второго уровня

Кэш третьего уровня

Корпус

Тепло-выделение

Технология CMOS

8850

2.5 ГГц

1.5МБ

2МБ

гнездо AM2+

95 Вт

65nm SOI

8750*

2.4 ГГц

1.5МБ

2МБ

гнездо AM2+

95 Вт

65nm SOI

8650

2.3 ГГц

1.5МБ

2МБ

гнездо AM2+

95 Вт

65nm SOI

8450

2.1 ГГц

1.5МБ

2МБ

гнездо AM2+

95 Вт

65nm SOI

8450e

2.1 ГГц

1.5МБ

2МБ

гнездо AM2+

65 Вт

65nm SOI

8250e

1.9 ГГц

1.5МБ

2МБ

гнездо AM2+

65 Вт

65nm SOI

* Технология AMD64

Да

Одновременные 32-разрядные и 64-разрядные вычисления

Да

Кэш первого уровня (инструкций и данных) на ядро

128 КБ (64 КБ + 64 КБ)

Кэш второго уровня (512 КБ на ядро)

2 МБ или 1,5 МБ

Кэш третьего уровня

2МБ

Технология HyperTransport™

Технология HyperTransport™ с одновременным двусторонним обменом данными до 4000 млн. передач в секунду или пропускной способностью ввода-вывода данных до 16 ГБ/с

Интегрированный контроллер памяти DDR2

Да

Пропускная способность контроллера памяти

128-разрядный

Тип памяти

Небуферизованная память PC2 -8500 (DDR2-1, PC2 6400(DDR2-800), PC2 5300(DDR2-667), PC2 4200(DDR2-533) и PC2 3200(DDR2-400)

Пропускная способность памяти

Пропускная способность двухканальной памяти до 17,1 Гб/с

Общая пропускная способность канала связи процессора и системы (шина HyperTransport и шина памяти)

До 33,1 ГБ/с

Технологический процесс

65 нм, технология SOI

Корпус

Гнездо АМ2+ (940 контактов), Organic Micro PGA

Тепловыделение

125 Вт, 95 Вт, 65 Вт

Размер

65 нм: 285 мм2

Количество транзисторов

65 нм: Прибл. 450 млн

Заводы-производители

Fab 36 в г. Дрезден, Германия