À mesure que la technologie évolue, la taille des appareils de mémoire vive dynamique (DRAM) augmente et les composants des puces deviennent plus petits. Cela entraîne une augmentation des interférences électriques ou magnétiques sur les puces DRAM. Les particules à faible énergie sont capables de modifier l'état de la cellule mémoire. Ce type d'interférences peut provoquer le basculement spontané d'un bit de DRAM vers l'état opposé. Cela peut entraîner soit un crash du système, soit une corruption des données. De plus, les applications traitant les systèmes de sécurité fonctionnelle nécessitent l'atténuation des données et des adresses. Cela est nécessaire non seulement pour les défaillances induites par les interférences, mais aussi pour celles induites par des défauts permanents tels que les blocages et les courts-circuits.
Plusieurs approches ont été développées pour traiter ces inversions de bits indésirables. L'une d'elles consiste à calculer un code de correction d'erreur (ECC) pour les données et à le stocker dans la DRAM avec les données. Le code ECC le plus courant, un code Hamming SECDED, vous permet de corriger les erreurs à un bit et de détecter les erreurs à deux bits.
