Die fortschreitende technologische Entwicklung führt dazu, dass die Speichergröße von DRAM-Chips zunimmt und ihre Komponenten immer kleiner werden. Dadurch steigt die elektrische oder magnetische Störanfälligkeit der DRAM-Chips. Teilchen mit niedriger Energie können den Zustand einer Speicherzelle verändern. Solche Interferenzen können dazu führen, dass ein einzelnes Bit im DRAM spontan in den entgegengesetzten Zustand kippt. Dadurch kann das System abstürzen oder Daten können beschädigt werden. Zusätzlich erfordern Anwendungen, die sich mit funktionaler Sicherheit befassen, die Minderung von Daten- und Adressfehlern. Dies gilt nicht nur für Fehler, die durch Interferenzen verursacht werden, sondern auch für jene, die durch permanente Fehler wie Stuck-at (feststehende Bits) und Kurzschlüsse (Shorts) induziert werden.
Es wurden verschiedene Ansätze entwickelt, um mit diesen unerwünschten Bit-Flips umzugehen. Einer davon ist die Berechnung eines Fehlerkorrekturcodes (ECC) für die Daten, der zusammen mit den Daten im DRAM gespeichert wird. Der am häufigsten verwendete ECC, ein SECDED-Hamming-Code, ermöglicht die Korrektur von Einzelbitfehlern und die Erkennung von Doppelbitfehlern.