기술 발전에 따라 DRAM(Dynamic Random-Access Memory) 디바이스 크기는 커지고 칩의 구성 요소는 점점 작아지고 있습니다. 이 때문에 DRAM 칩에 대한 전기적 간섭이나 또는 자기 간섭이 증가합니다. 에너지가 낮은 입자는 메모리 셀의 상태를 변경할 수 있습니다. 이러한 종류의 간섭 때문에 DRAM의 단일 비트가 자연스럽게 반대 상태로 전환될 수 있습니다. 이로 인해 시스템이 충돌하거나 데이터가 손상될 수 있습니다. 또한 기능 안전 시스템을 다루는 애플리케이션에는 데이터 및 주소 완화가 필요합니다. 이것은 간섭에 의해 유도된 고장뿐만 아니라 고착과 쇼트 등 영구적인 고장에 의해 유도된 고장에서도 수행됩니다.
이러한 원치 않는 비트-플립을 처리하기 위해 여러 가지 접근 방식이 개발되었습니다. 그중 하나는 데이터의 ECC(Error-Correction Code)를 계산하여 데이터와 함께 DRAM에 저장하는 것입니다. 가장 일반적인 ECC인 SECDED 해밍 코드를 사용하면 단일 비트 오류를 수정하고 이중 비트 오류를 검출할 수 있습니다.