À medida que a tecnologia evolui, o tamanho do dispositivo de DRAM (memória dinâmica de acesso aleatório) aumenta, e os componentes nos chips ficam cada vez menores. Devido a isso, há um aumento na interferência elétrica ou magnética nos chips DRAM. Partículas de energia mais baixas podem alterar o estado da célula de memória. Esses tipos de interferência podem fazer com que um único bit de DRAM espontaneamente mude para o estado oposto. Isso pode corromper os dados ou fazer com que o sistema trave. Além disso, aplicações que lidam com os sistemas de segurança funcional exigem a mitigação de dados e endereços. Isso é feito não apenas para falhas induzidas por interferências, mas também para aquelas induzidas por falhas permanentes, como congelamentos e curtos-circuitos.
Várias abordagens foram desenvolvidas para lidar com essas inversões de bits indesejadas. Um deles é calcular um Código de correção de erros (ECC) para os dados e armazená-los na DRAM junto com os dados. O ECC mais comum, um código de Hamming SECDED, permite corrigir erros de bit único e detectar erros de bit duplo.